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IRLI2203N

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-220-3 整包

描述：MOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP

3689 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRLI2203N，现有足量库存。IRLI2203N的封装/规格参数为:TO-220-3 整包；同时斯普仑现货为您提供IRLI2203N数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRLI2203N的详细使用方法及教程。

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IRLI2203N产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IRLI2203N
描述 MOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP
制造商 Infineon Technologies
库存 3689
系列 HEXFET®
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 61A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 7 毫欧 @ 37A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 110 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3500 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 47W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-FP
封装/外壳 TO-220-3 整包

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