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IRFBG30

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB

3641 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的IRFBG30，现有足量库存。IRFBG30的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供IRFBG30数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFBG30的详细使用方法及教程。

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IRFBG30产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IRFBG30
描述 MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
制造商 Vishay Siliconix
库存 3641
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 5 欧姆 @ 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 80 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 980 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 125W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3

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