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IRLD014

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）

描述：MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP

2016 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的IRLD014，现有足量库存。IRLD014的封装/规格参数为:4-DIP（0.300"，7.62mm）；同时斯普仑现货为您提供IRLD014数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRLD014的详细使用方法及教程。

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IRLD014产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IRLD014
描述 MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
制造商 Vishay Siliconix
库存 2016
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 200 毫欧 @ 1A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 8.4 nC @ 5 V
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 400 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 4-HVMDIP
封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）

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