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IRFD110

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）

描述：MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

5931 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的IRFD110，现有足量库存。IRFD110的封装/规格参数为:4-DIP（0.300"，7.62mm）；同时斯普仑现货为您提供IRFD110数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFD110的详细使用方法及教程。

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IRFD110产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IRFD110
描述 MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
制造商 Vishay Siliconix
库存 5931
系列 -
包装 散装
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 540 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 8.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 180 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 4-HVMDIP
封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）

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