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STP19NM65N

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220AB

8869 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STP19NM65N，现有足量库存。STP19NM65N的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供STP19NM65N数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STP19NM65N的详细使用方法及教程。

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STP19NM65N产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 STP19NM65N
描述 MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220AB
制造商 STMicroelectronics
库存 8869
系列 MDmesh™ II
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 270 毫欧 @ 7.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 55 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1900 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3

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