BSH112,235规格参数_bsh112,235现货热销【斯普仑】

BSH112,235

制造商：NXP USA Inc.

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

9653 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的BSH112,235，现有足量库存。BSH112,235的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供BSH112,235数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BSH112,235的详细使用方法及教程。

BSH112,235产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BSH112,235
描述	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
制造商	NXP USA Inc.
库存	9653
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	40 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	830mW（Tc）
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23（TO-236AB）
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

BSH112,235

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