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PH3330L,115

制造商：NXP USA Inc.

封装外壳：SC-100，SOT-669

描述：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

5421 现货

斯普仑电子元件现货为您提供NXP USA Inc.设计生产的PH3330L,115，现有足量库存。PH3330L,115的封装/规格参数为:SC-100，SOT-669；同时斯普仑现货为您提供PH3330L,115数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PH3330L,115的详细使用方法及教程。

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PH3330L,115产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 PH3330L,115
描述 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
制造商 NXP USA Inc.
库存 5421
系列 TrenchMOS™
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.3 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 30.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4840 pF @ 12 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳 SC-100，SOT-669

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