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G3R75MT12D

制造商：GeneSiC Semiconductor

封装外壳：TO-247-3

描述：SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3

3903 现货

斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的G3R75MT12D，现有足量库存。G3R75MT12D的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供G3R75MT12D数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有G3R75MT12D的详细使用方法及教程。

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G3R75MT12D产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 G3R75MT12D
描述 SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
制造商 GeneSiC Semiconductor
库存 3903
系列 G3R™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 41A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 90 毫欧 @ 20A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.69V @ 7.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 54 nC @ 15 V
Vgs（最大值） ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1560 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 207W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3

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