NTMTS0D7N04CTXG规格参数_ntmts0d7n04ctxg现货热销【斯普仑】

NTMTS0D7N04CTXG

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 40V 65A/420A 8DFNW

7332 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMTS0D7N04CTXG，现有足量库存。NTMTS0D7N04CTXG的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供NTMTS0D7N04CTXG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTMTS0D7N04CTXG的详细使用方法及教程。

NTMTS0D7N04CTXG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTMTS0D7N04CTXG
描述	MOSFET N-CH 40V 65A/420A 8DFNW
制造商	onsemi
库存	7332
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	65A（Ta），420A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	0.67 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	9230 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	4.9W（Ta），205W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFNW（8.3x8.4）
封装/外壳	8-PowerTDFN

NTMTS0D7N04CTXG

猜您喜欢

G15

E3M0065090D

C2M0080170P

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S080B

CPM2-1200-0160B

CPM2-1200-0080B

BUK7Y25-80E/GFX

BUK7Y25-80E/CX

PSMN7R6-60XSQ

BUK761R5-40EJ

PSMN8R5-108ESQ

PSMN3R9-60XSQ

BUK9C1R3-40EJ

BUK951R8-40EQ

PMT760EN,115

PMT200EN,115

BUK9C5R3-100EJ

BUK9C3R8-80EJ

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”

热门类目

关于斯普仑

帮助中心