IAUT200N08S5N023ATMA1规格参数_iaut200n08s5n023atma1现货热销【斯普仑】

IAUT200N08S5N023ATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerSFN

描述：MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF

9970 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IAUT200N08S5N023ATMA1，现有足量库存。IAUT200N08S5N023ATMA1的封装/规格参数为:8-PowerSFN；同时斯普仑现货为您提供IAUT200N08S5N023ATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IAUT200N08S5N023ATMA1的详细使用方法及教程。

IAUT200N08S5N023ATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IAUT200N08S5N023ATMA1
描述	MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
制造商	Infineon Technologies
库存	9970
系列	OptiMOS™-5
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.8V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7670 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	200W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-HSOF-8-1
封装/外壳	8-PowerSFN

IAUT200N08S5N023ATMA1

猜您喜欢

G15

E3M0065090D

C2M0080170P

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S080B

CPM2-1200-0160B

CPM2-1200-0080B

BUK7Y25-80E/GFX

BUK7Y25-80E/CX

PSMN7R6-60XSQ

BUK761R5-40EJ

PSMN8R5-108ESQ

PSMN3R9-60XSQ

BUK9C1R3-40EJ

BUK951R8-40EQ

PMT760EN,115

PMT200EN,115

BUK9C5R3-100EJ

BUK9C3R8-80EJ

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”

热门类目

关于斯普仑

帮助中心