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FDMS4D0N12C

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN

6764 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDMS4D0N12C，现有足量库存。FDMS4D0N12C的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供FDMS4D0N12C数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDMS4D0N12C的详细使用方法及教程。

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FDMS4D0N12C产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDMS4D0N12C
描述 MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
制造商 onsemi
库存 6764
系列 PowerTrench®
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18.5A（Ta），114A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 67A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 370A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 82 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6460 pF @ 60 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.7W（Ta），106W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-PQFN（5x6）
封装/外壳 8-PowerTDFN

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