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制造商：Vishay Siliconix
封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：MOSFET P-CH 100V 120A TO263
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SQM120P10_10M1LGE3，现有足量库存。SQM120P10_10M1LGE3的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供SQM120P10_10M1LGE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SQM120P10_10M1LGE3的详细使用方法及教程。
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| SQM120P10_10M1LGE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SQM120P10_10M1LGE3 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 120A TO263 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 库存 | 3538 |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.1 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 190 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9000 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263（D²Pak） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
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