STL115N10F7AG规格参数_stl115n10f7ag现货热销【斯普仑】

STL115N10F7AG

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT

8744 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STL115N10F7AG，现有足量库存。STL115N10F7AG的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供STL115N10F7AG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STL115N10F7AG的详细使用方法及教程。

STL115N10F7AG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STL115N10F7AG
描述	MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
制造商	STMicroelectronics
库存	8744
系列	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	107A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	6 毫欧 @ 53A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	72.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5600 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	136W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装	PowerFlat™（5x6）
封装/外壳	8-PowerVDFN

STL115N10F7AG

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