欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

LND150N8-G

制造商：Microchip Technology

封装外壳：TO-243AA

描述：MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3

8758 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的LND150N8-G，现有足量库存。LND150N8-G的封装/规格参数为:TO-243AA；同时斯普仑现货为您提供LND150N8-G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有LND150N8-G的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的LND150N8-G，现有足量库存。LND150N8-G的封装/规格参数为:TO-243AA；同时斯普仑现货为您提供LND150N8-G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有LND150N8-G的详细使用方法及教程。

LND150N8-G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 LND150N8-G
描述 MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
制造商 Microchip Technology
库存 8758
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1000 欧姆 @ 500µA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） -
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 10 pF @ 25 V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-89-3
封装/外壳 TO-243AA

猜您喜欢

Microchip Technology

G15

Microchip Technology

E3M0065090D

Microchip Technology

C2M0080170P

Microchip Technology

CPMF-1200-S160B

Microchip Technology

CPMF-1200-S080B

Microchip Technology

CPM2-1200-0160B

Microchip Technology

CPM2-1200-0080B

Microchip Technology

BUK7Y25-80E/GFX

Microchip Technology

BUK7Y25-80E/CX

Microchip Technology

PSMN7R6-60XSQ

Microchip Technology

BUK761R5-40EJ

Microchip Technology

PSMN8R5-108ESQ

Microchip Technology

PSMN3R9-60XSQ

Microchip Technology

BUK9C1R3-40EJ

Microchip Technology

BUK951R8-40EQ

Microchip Technology

PMT760EN,115

Microchip Technology

PMT200EN,115

Microchip Technology

BUK9C5R3-100EJ

Microchip Technology

BUK9C3R8-80EJ

Microchip Technology

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”