SISS05DN-T1-GE3规格参数_siss05dn-t1-ge3现货热销【斯普仑】

SISS05DN-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：PowerPAK® 1212-8S

描述：MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK

2789 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SISS05DN-T1-GE3，现有足量库存。SISS05DN-T1-GE3的封装/规格参数为:PowerPAK® 1212-8S；同时斯普仑现货为您提供SISS05DN-T1-GE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SISS05DN-T1-GE3的详细使用方法及教程。

SISS05DN-T1-GE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SISS05DN-T1-GE3
描述	MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
制造商	Vishay Siliconix
库存	2789
系列	TrenchFET® Gen IV
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	29.4A（Ta），108A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	115 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	+16V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4930 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	5W（Ta），65.7W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® 1212-8S
封装/外壳	PowerPAK® 1212-8S

SISS05DN-T1-GE3

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