IRLHS6342TRPBF规格参数_irlhs6342trpbf现货热销【斯普仑】

IRLHS6342TRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：6-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN

1180 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRLHS6342TRPBF，现有足量库存。IRLHS6342TRPBF的封装/规格参数为:6-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供IRLHS6342TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRLHS6342TRPBF的详细使用方法及教程。

IRLHS6342TRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRLHS6342TRPBF
描述	MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
制造商	Infineon Technologies
库存	1180
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8.7A（Ta），19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	15.5 毫欧 @ 8.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.1V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	11 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1019 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.1W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-PQFN（2x2）
封装/外壳	6-PowerVDFN

IRLHS6342TRPBF

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