DMN2011UFDE-7规格参数_dmn2011ufde-7现货热销【斯普仑】

DMN2011UFDE-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：6-PowerUDFN

描述：MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN

2553 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN2011UFDE-7，现有足量库存。DMN2011UFDE-7的封装/规格参数为:6-PowerUDFN；同时斯普仑现货为您提供DMN2011UFDE-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMN2011UFDE-7的详细使用方法及教程。

DMN2011UFDE-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMN2011UFDE-7
描述	MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
制造商	Diodes Incorporated
库存	2553
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2248 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	610mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳	6-PowerUDFN

DMN2011UFDE-7

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