PXN012-60QLJ规格参数_pxn012-60qlj现货热销【斯普仑】

PXN012-60QLJ

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33

5045 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PXN012-60QLJ，现有足量库存。PXN012-60QLJ的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供PXN012-60QLJ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PXN012-60QLJ的详细使用方法及教程。

PXN012-60QLJ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PXN012-60QLJ
描述	PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	5045
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	11.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	18.77 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	957 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	34.7W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	MLPAK33
封装/外壳	8-PowerVDFN

PXN012-60QLJ

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