欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

DMN21D2UFB-7B

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：3-UFDFN

描述：MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN

5361 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN21D2UFB-7B，现有足量库存。DMN21D2UFB-7B的封装/规格参数为:3-UFDFN；同时斯普仑现货为您提供DMN21D2UFB-7B数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMN21D2UFB-7B的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN21D2UFB-7B，现有足量库存。DMN21D2UFB-7B的封装/规格参数为:3-UFDFN；同时斯普仑现货为您提供DMN21D2UFB-7B数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMN21D2UFB-7B的详细使用方法及教程。

DMN21D2UFB-7B产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMN21D2UFB-7B
描述 MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN
制造商 Diodes Incorporated
库存 5361
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 760mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 990 毫欧 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 0.93 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 27.6 pF @ 16 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 380mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 X1-DFN1006-3
封装/外壳 3-UFDFN

猜您喜欢

Diodes Incorporated

G15

Diodes Incorporated

E3M0065090D

Diodes Incorporated

C2M0080170P

Diodes Incorporated

CPMF-1200-S160B

Diodes Incorporated

CPMF-1200-S080B

Diodes Incorporated

CPM2-1200-0160B

Diodes Incorporated

CPM2-1200-0080B

Diodes Incorporated

BUK7Y25-80E/GFX

Diodes Incorporated

BUK7Y25-80E/CX

Diodes Incorporated

PSMN7R6-60XSQ

Diodes Incorporated

BUK761R5-40EJ

Diodes Incorporated

PSMN8R5-108ESQ

Diodes Incorporated

PSMN3R9-60XSQ

Diodes Incorporated

BUK9C1R3-40EJ

Diodes Incorporated

BUK951R8-40EQ

Diodes Incorporated

PMT760EN,115

Diodes Incorporated

PMT200EN,115

Diodes Incorporated

BUK9C5R3-100EJ

Diodes Incorporated

BUK9C3R8-80EJ

Diodes Incorporated

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”