SCT2H12NZGC11规格参数_sct2h12nzgc11现货热销【斯普仑】

SCT2H12NZGC11

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：TO-3PFM，SC-93-3

描述：SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM

6514 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的SCT2H12NZGC11，现有足量库存。SCT2H12NZGC11的封装/规格参数为:TO-3PFM，SC-93-3；同时斯普仑现货为您提供SCT2H12NZGC11数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SCT2H12NZGC11的详细使用方法及教程。

SCT2H12NZGC11产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SCT2H12NZGC11
描述	SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
制造商	Rohm Semiconductor
库存	6514
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.5 欧姆 @ 1.1A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 900µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	14 nC @ 18 V
Vgs（最大值）	+22V，-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	184 pF @ 800 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	35W（Tc）
工作温度	175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-3PFM
封装/外壳	TO-3PFM，SC-93-3

SCT2H12NZGC11

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