IRFH6200TRPBF规格参数_irfh6200trpbf现货热销【斯普仑】

IRFH6200TRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN

7031 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFH6200TRPBF，现有足量库存。IRFH6200TRPBF的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供IRFH6200TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFH6200TRPBF的详细使用方法及教程。

IRFH6200TRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFH6200TRPBF
描述	MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
制造商	Infineon Technologies
库存	7031
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	49A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	0.95 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.1V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	230 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	10890 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.6W（Ta），156W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-PQFN（5x6）
封装/外壳	8-PowerVDFN

IRFH6200TRPBF

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