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GC11N65F

制造商：Goford Semiconductor

封装外壳：TO-220-3 整包

描述：N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

1100 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的GC11N65F，现有足量库存。GC11N65F的封装/规格参数为:TO-220-3 整包；同时斯普仑现货为您提供GC11N65F数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有GC11N65F的详细使用方法及教程。

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GC11N65F产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 GC11N65F
描述 N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
制造商 Goford Semiconductor
库存 1100
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 360 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 21 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 901 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 31.3W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220F
封装/外壳 TO-220-3 整包

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