欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

G65P06T

制造商：Goford Semiconductor

封装外壳：TO-220-3

描述：P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~

8355 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的G65P06T，现有足量库存。G65P06T的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供G65P06T数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有G65P06T的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的G65P06T，现有足量库存。G65P06T的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供G65P06T数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有G65P06T的详细使用方法及教程。

G65P06T产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 G65P06T
描述 P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
制造商 Goford Semiconductor
库存 8355
系列 -
包装 管件
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 18 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 75 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5814 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 130W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3

猜您喜欢

Goford Semiconductor

G15

Goford Semiconductor

E3M0065090D

Goford Semiconductor

C2M0080170P

Goford Semiconductor

CPMF-1200-S160B

Goford Semiconductor

CPMF-1200-S080B

Goford Semiconductor

CPM2-1200-0160B

Goford Semiconductor

CPM2-1200-0080B

Goford Semiconductor

BUK7Y25-80E/GFX

Goford Semiconductor

BUK7Y25-80E/CX

Goford Semiconductor

PSMN7R6-60XSQ

Goford Semiconductor

BUK761R5-40EJ

Goford Semiconductor

PSMN8R5-108ESQ

Goford Semiconductor

PSMN3R9-60XSQ

Goford Semiconductor

BUK9C1R3-40EJ

Goford Semiconductor

BUK951R8-40EQ

Goford Semiconductor

PMT760EN,115

Goford Semiconductor

PMT200EN,115

Goford Semiconductor

BUK9C5R3-100EJ

Goford Semiconductor

BUK9C3R8-80EJ

Goford Semiconductor

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”