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GT100N12T

制造商：Goford Semiconductor

封装外壳：TO-220-3

描述：N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.

1642 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的GT100N12T，现有足量库存。GT100N12T的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供GT100N12T数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有GT100N12T的详细使用方法及教程。

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GT100N12T产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 GT100N12T
描述 N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
制造商 Goford Semiconductor
库存 1642
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 10 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 50 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3050 pF @ 60 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 120W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3

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