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G2K3N10G

制造商：Goford Semiconductor

封装外壳：TO-243AA

描述：N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V

9018 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的G2K3N10G，现有足量库存。G2K3N10G的封装/规格参数为:TO-243AA；同时斯普仑现货为您提供G2K3N10G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有G2K3N10G的详细使用方法及教程。

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G2K3N10G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 G2K3N10G
描述 N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
制造商 Goford Semiconductor
库存 9018
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 220 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 13 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 436 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.5W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-89
封装/外壳 TO-243AA

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