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VMO650-01F

制造商：IXYS

封装外壳：Y3-DCB

描述：MOSFET N-CH 100V 690A Y3-DCB

1864 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的VMO650-01F，现有足量库存。VMO650-01F的封装/规格参数为:Y3-DCB；同时斯普仑现货为您提供VMO650-01F数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有VMO650-01F的详细使用方法及教程。

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VMO650-01F产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 VMO650-01F
描述 MOSFET N-CH 100V 690A Y3-DCB
制造商 IXYS
库存 1864
系列 HiPerFET™
包装 散装
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 690A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.8 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 6V @ 130mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 2300 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 59000 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2500W（Tc）
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 底座安装
供应商器件封装 Y3-DCB
封装/外壳 Y3-DCB

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