MMIX1F180N25T规格参数_mmix1f180n25t现货热销【斯普仑】

MMIX1F180N25T

制造商：IXYS

封装外壳：24-PowerSMD，21 引线

描述：MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD

4254 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的MMIX1F180N25T，现有足量库存。MMIX1F180N25T的封装/规格参数为:24-PowerSMD，21 引线；同时斯普仑现货为您提供MMIX1F180N25T数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有MMIX1F180N25T的详细使用方法及教程。

MMIX1F180N25T产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	MMIX1F180N25T
描述	MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD
制造商	IXYS
库存	4254
系列	GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	132A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	13 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	364 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	23800 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	570W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	24-SMPD
封装/外壳	24-PowerSMD，21 引线

MMIX1F180N25T

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