欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 400-900-8690
制造商：Renesas Electronics America Inc
封装外壳：TO-3P-3，SC-65-3
描述：MOSFET N-CH 600V 30A TO3PSG
斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的RJK60S7DPK-M0#T0，现有足量库存。RJK60S7DPK-M0#T0的封装/规格参数为:TO-3P-3，SC-65-3；同时斯普仑现货为您提供RJK60S7DPK-M0#T0数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RJK60S7DPK-M0#T0的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的RJK60S7DPK-M0#T0，现有足量库存。RJK60S7DPK-M0#T0的封装/规格参数为:TO-3P-3，SC-65-3；同时斯普仑现货为您提供RJK60S7DPK-M0#T0数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RJK60S7DPK-M0#T0的详细使用方法及教程。
| RJK60S7DPK-M0#T0产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | RJK60S7DPK-M0#T0 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 30A TO3PSG |
| 制造商 | Renesas Electronics America Inc |
| 库存 | 2129 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 125 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 39 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | +30V，-20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2300 pF @ 25 V |
| FET 功能 | 超级结 |
| 功率耗散（最大值） | 227.2W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-3PSG |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
_SOT226%20Pkg.jpg)
