RX3L07BGNC16规格参数_rx3l07bgnc16现货热销【斯普仑】

RX3L07BGNC16

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：TO-220-3

描述：NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MOS

8116 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RX3L07BGNC16，现有足量库存。RX3L07BGNC16的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供RX3L07BGNC16数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RX3L07BGNC16的详细使用方法及教程。

RX3L07BGNC16产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RX3L07BGNC16
描述	NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MOS
制造商	Rohm Semiconductor
库存	8116
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	70A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	7.2 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2600 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	96W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3

RX3L07BGNC16

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