R6507KNXC7G规格参数_r6507knxc7g现货热销【斯普仑】

R6507KNXC7G

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：TO-220-3 整包

描述：650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

5448 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的R6507KNXC7G，现有足量库存。R6507KNXC7G的封装/规格参数为:TO-220-3 整包；同时斯普仑现货为您提供R6507KNXC7G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有R6507KNXC7G的详细使用方法及教程。

R6507KNXC7G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	R6507KNXC7G
描述	650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
制造商	Rohm Semiconductor
库存	5448
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	665 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	14.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	470 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	46W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220FM
封装/外壳	TO-220-3 整包

R6507KNXC7G

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