FQT1N80TF-WS规格参数_fqt1n80tf-ws现货热销【斯普仑】

制造商：onsemi

封装外壳：TO-261-3

描述：MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3

6400 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FQT1N80TF-WS，现有足量库存。FQT1N80TF-WS的封装/规格参数为:TO-261-3；同时斯普仑现货为您提供FQT1N80TF-WS数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FQT1N80TF-WS的详细使用方法及教程。

FQT1N80TF-WS产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FQT1N80TF-WS
描述	MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
制造商	onsemi
库存	6400
系列	QFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	200mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	20 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	7.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	195 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.1W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-223-3
封装/外壳	TO-261-3