RF4L055GNTCR规格参数_rf4l055gntcr现货热销【斯普仑】

RF4L055GNTCR

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：8-PowerUDFN

描述：MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8

3447 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RF4L055GNTCR，现有足量库存。RF4L055GNTCR的封装/规格参数为:8-PowerUDFN；同时斯普仑现货为您提供RF4L055GNTCR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RF4L055GNTCR的详细使用方法及教程。

RF4L055GNTCR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RF4L055GNTCR
描述	MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
制造商	Rohm Semiconductor
库存	3447
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	5.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	43 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.7V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	7.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	400 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	HUML2020L8
封装/外壳	8-PowerUDFN

RF4L055GNTCR

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