PHT6NQ10T,135规格参数_pht6nq10t,135现货热销【斯普仑】

PHT6NQ10T,135

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：TO-261-4，TO-261AA

描述：MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

8312 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PHT6NQ10T,135，现有足量库存。PHT6NQ10T,135的封装/规格参数为:TO-261-4，TO-261AA；同时斯普仑现货为您提供PHT6NQ10T,135数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PHT6NQ10T,135的详细使用方法及教程。

PHT6NQ10T,135产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PHT6NQ10T,135
描述	MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	8312
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	90 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	21 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	633 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta），8.3W（Tc）
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-223
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA

PHT6NQ10T,135

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