TPN11006PL,LQ规格参数_tpn11006pl,lq现货热销【斯普仑】

TPN11006PL,LQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON

8298 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPN11006PL,LQ，现有足量库存。TPN11006PL,LQ的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供TPN11006PL,LQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPN11006PL,LQ的详细使用方法及教程。

TPN11006PL,LQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TPN11006PL,LQ
描述	MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	8298
系列	U-MOSIX-H
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	11.4mOhm @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1625 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	610mW（Ta），61W（Tc）
工作温度	175°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳	8-PowerVDFN

TPN11006PL,LQ

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