MSCSM120DAM31CTBL1NG规格参数_mscsm120dam31ctbl1ng现货热销【斯普仑】

MSCSM120DAM31CTBL1NG

制造商：Microchip Technology

封装外壳：模块

描述：PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

7725 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的MSCSM120DAM31CTBL1NG，现有足量库存。MSCSM120DAM31CTBL1NG的封装/规格参数为:模块；同时斯普仑现货为您提供MSCSM120DAM31CTBL1NG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有MSCSM120DAM31CTBL1NG的详细使用方法及教程。

MSCSM120DAM31CTBL1NG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	MSCSM120DAM31CTBL1NG
描述	PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
制造商	Microchip Technology
库存	7725
系列	-
包装	散装
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	79A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	31 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	232 nC @ 20 V
Vgs（最大值）	+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3020 pF @ 1000 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	310W
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	底座安装
供应商器件封装	-
封装/外壳	模块

MSCSM120DAM31CTBL1NG

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