IXTH1N170DHV规格参数_ixth1n170dhv现货热销【斯普仑】

制造商：IXYS

封装外壳：TO-247-3 变式

描述：MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV

7754 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXTH1N170DHV，现有足量库存。IXTH1N170DHV的封装/规格参数为:TO-247-3 变式；同时斯普仑现货为您提供IXTH1N170DHV数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXTH1N170DHV的详细使用方法及教程。

IXTH1N170DHV产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IXTH1N170DHV
描述	MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV
制造商	IXYS
库存	7754
系列	Depletion
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	16 欧姆 @ 500mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	47 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3090 pF @ 25 V
FET 功能	耗尽模式
功率耗散（最大值）	290W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247HV
封装/外壳	TO-247-3 变式