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GP2T080A120H

制造商：SemiQ

封装外壳：TO-247-4

描述：SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L

5721 现货

斯普仑电子元件现货为您提供SemiQ设计生产的GP2T080A120H，现有足量库存。GP2T080A120H的封装/规格参数为:TO-247-4；同时斯普仑现货为您提供GP2T080A120H数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有GP2T080A120H的详细使用方法及教程。

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GP2T080A120H产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 GP2T080A120H
描述 SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
制造商 SemiQ
库存 5721
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 100 毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 61 nC @ 20 V
Vgs（最大值） +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1377 pF @ 1000 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 188W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-4
封装/外壳 TO-247-4

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