APT30M85BVRG规格参数_apt30m85bvrg现货热销【斯普仑】

APT30M85BVRG

制造商：Microchip Technology

封装外壳：TO-247-3

描述：MOSFET N-CH 300V 40A TO247

9612 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的APT30M85BVRG，现有足量库存。APT30M85BVRG的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供APT30M85BVRG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有APT30M85BVRG的详细使用方法及教程。

APT30M85BVRG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	APT30M85BVRG
描述	MOSFET N-CH 300V 40A TO247
制造商	Microchip Technology
库存	9612
系列	POWER MOS V®
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	85 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	195 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4950 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	300W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247 [B]
封装/外壳	TO-247-3

APT30M85BVRG

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