欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

R8008ANJGTL

制造商:Rohm Semiconductor

封装外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

描述:NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008

4172 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的R8008ANJGTL,现有足量库存。R8008ANJGTL的封装/规格参数为:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;同时斯普仑现货为您提供R8008ANJGTL数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有R8008ANJGTL的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的R8008ANJGTL,现有足量库存。R8008ANJGTL的封装/规格参数为:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;同时斯普仑现货为您提供R8008ANJGTL数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有R8008ANJGTL的详细使用方法及教程。

R8008ANJGTL产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 R8008ANJGTL
描述 NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
制造商 Rohm Semiconductor
库存 4172
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.03 欧姆 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 38 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1100 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 195W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263S
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

为智能时代加速到来而付出“真芯”