R8003KNXC7G规格参数_r8003knxc7g现货热销【斯普仑】

R8003KNXC7G

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：TO-220-3 整包

描述：800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW

6416 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的R8003KNXC7G，现有足量库存。R8003KNXC7G的封装/规格参数为:TO-220-3 整包；同时斯普仑现货为您提供R8003KNXC7G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有R8003KNXC7G的详细使用方法及教程。

R8003KNXC7G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	R8003KNXC7G
描述	800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
制造商	Rohm Semiconductor
库存	6416
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.8 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	11.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	300 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	36W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220FM
封装/外壳	TO-220-3 整包

R8003KNXC7G

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