欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

TK3R3E08QM,S1X

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：TO-220-3

描述：UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM

9607 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK3R3E08QM,S1X，现有足量库存。TK3R3E08QM,S1X的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供TK3R3E08QM,S1X数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK3R3E08QM,S1X的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK3R3E08QM,S1X，现有足量库存。TK3R3E08QM,S1X的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供TK3R3E08QM,S1X数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK3R3E08QM,S1X的详细使用方法及教程。

TK3R3E08QM,S1X产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TK3R3E08QM,S1X
描述 UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 9607
系列 U-MOSX-H
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 1.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 110 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 7670 pF @ 40 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 230W（Tc）
工作温度 175°C
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3

猜您喜欢

Toshiba Semiconductor and Storage

G15

Toshiba Semiconductor and Storage

E3M0065090D

Toshiba Semiconductor and Storage

C2M0080170P

Toshiba Semiconductor and Storage

CPMF-1200-S160B

Toshiba Semiconductor and Storage

CPMF-1200-S080B

Toshiba Semiconductor and Storage

CPM2-1200-0160B

Toshiba Semiconductor and Storage

CPM2-1200-0080B

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK7Y25-80E/GFX

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK7Y25-80E/CX

Toshiba Semiconductor and Storage

PSMN7R6-60XSQ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK761R5-40EJ

Toshiba Semiconductor and Storage

PSMN8R5-108ESQ

Toshiba Semiconductor and Storage

PSMN3R9-60XSQ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK9C1R3-40EJ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK951R8-40EQ

Toshiba Semiconductor and Storage

PMT760EN,115

Toshiba Semiconductor and Storage

PMT200EN,115

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK9C5R3-100EJ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK9C3R8-80EJ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”