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RCJ451N20TL

制造商:Rohm Semiconductor

封装外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

描述:200V 45A, NCH, TO-263S, POWER MO

3985 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RCJ451N20TL,现有足量库存。RCJ451N20TL的封装/规格参数为:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;同时斯普仑现货为您提供RCJ451N20TL数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有RCJ451N20TL的详细使用方法及教程。

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RCJ451N20TL产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 RCJ451N20TL
描述 200V 45A, NCH, TO-263S, POWER MO
制造商 Rohm Semiconductor
库存 3985
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 45A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 55 毫欧 @ 22.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 80 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4200 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.56W(Ta),211W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263S
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

为智能时代加速到来而付出“真芯”