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TPS1100D

制造商:Texas Instruments

封装外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC

4215 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的TPS1100D,现有足量库存。TPS1100D的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供TPS1100D数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TPS1100D的详细使用方法及教程。

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TPS1100D产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 TPS1100D
描述 MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
制造商 Texas Instruments
库存 4215
系列 -
包装 管件
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 15 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.7V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.45 nC @ 10 V
Vgs(最大值) +2V,-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 791mW(Ta)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

为智能时代加速到来而付出“真芯”