TK20J60W,S1VE规格参数_tk20j60w,s1ve现货热销【斯普仑】

TK20J60W,S1VE

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：TO-3P-3，SC-65-3

描述：X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

1586 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK20J60W,S1VE，现有足量库存。TK20J60W,S1VE的封装/规格参数为:TO-3P-3，SC-65-3；同时斯普仑现货为您提供TK20J60W,S1VE数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK20J60W,S1VE的详细使用方法及教程。

TK20J60W,S1VE产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TK20J60W,S1VE
描述	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	1586
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	155 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.7V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1680 pF @ 300 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	165W（Tc）
工作温度	150°C
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-3P（N）
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3

TK20J60W,S1VE

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