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DN2535N5-G

制造商：Microchip Technology

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3

6961 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的DN2535N5-G，现有足量库存。DN2535N5-G的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供DN2535N5-G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DN2535N5-G的详细使用方法及教程。

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DN2535N5-G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DN2535N5-G
描述 MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3
制造商 Microchip Technology
库存 6961
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 350 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 500mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 25 欧姆 @ 120mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） -
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 300 pF @ 25 V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散（最大值） 15W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3

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