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IRF200B211

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB

9633 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF200B211，现有足量库存。IRF200B211的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供IRF200B211数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF200B211的详细使用方法及教程。

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IRF200B211产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IRF200B211
描述 MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
制造商 Infineon Technologies
库存 9633
系列 HEXFET®, StrongIRFET™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 170 毫欧 @ 7.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.9V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 23 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 790 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 80W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3

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