IPTG111N20NM3FDATMA1规格参数_iptg111n20nm3fdatma1现货热销【斯普仑】

IPTG111N20NM3FDATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerSMD，鸥翼

描述：TRENCH >=100V PG-HSOG-8

7923 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPTG111N20NM3FDATMA1，现有足量库存。IPTG111N20NM3FDATMA1的封装/规格参数为:8-PowerSMD，鸥翼；同时斯普仑现货为您提供IPTG111N20NM3FDATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPTG111N20NM3FDATMA1的详细使用方法及教程。

IPTG111N20NM3FDATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPTG111N20NM3FDATMA1
描述	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
制造商	Infineon Technologies
库存	7923
系列	OptiMOS™ 3
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10.8A（Ta），108A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	11.1 毫欧 @ 96A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 267µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	81 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7000 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.8W（Ta），375W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-HSOG-8-1
封装/外壳	8-PowerSMD，鸥翼

IPTG111N20NM3FDATMA1

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