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制造商：Infineon Technologies
封装外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
描述：SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IMBF170R650M1XTMA1，现有足量库存。IMBF170R650M1XTMA1的封装/规格参数为:TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA；同时斯普仑现货为您提供IMBF170R650M1XTMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IMBF170R650M1XTMA1的详细使用方法及教程。
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| IMBF170R650M1XTMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IMBF170R650M1XTMA1 |
| 描述 | SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 3449 |
| 系列 | CoolSiC™ |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1700 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 12V，15V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 650毫欧 @ 1.5A，15V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.7V @ 1.7mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8 nC @ 12 V |
| Vgs（最大值） | +20V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 422 pF @ 1000 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 88W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7-13 |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
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