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制造商：Infineon Technologies
封装外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
描述：MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPBE65R190CFD7AATMA1，现有足量库存。IPBE65R190CFD7AATMA1的封装/规格参数为:TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA；同时斯普仑现货为您提供IPBE65R190CFD7AATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPBE65R190CFD7AATMA1的详细使用方法及教程。
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| IPBE65R190CFD7AATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IPBE65R190CFD7AATMA1 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 1936 |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 6.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 320µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1291 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 77W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7-11 |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
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