IPT65R195G7XTMA1规格参数_ipt65r195g7xtma1现货热销【斯普仑】

IPT65R195G7XTMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerSFN

描述：MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF

3733 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPT65R195G7XTMA1，现有足量库存。IPT65R195G7XTMA1的封装/规格参数为:8-PowerSFN；同时斯普仑现货为您提供IPT65R195G7XTMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPT65R195G7XTMA1的详细使用方法及教程。

IPT65R195G7XTMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPT65R195G7XTMA1
描述	MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF
制造商	Infineon Technologies
库存	3733
系列	CoolMOS™ C7
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	195 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 240µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	996 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	97W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-HSOF-8-2
封装/外壳	8-PowerSFN

IPT65R195G7XTMA1

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